SiC membrane ya kauri

Silikoni CARBIDE (SiC) utando wa kauri ni teknolojia ya hali ya juu ya kuchuja, iliyotengenezwa kutoka kwa unga wa kaboni wa silicon ya hali ya juu kupitia michakato ya hali ya juu ya urekebishaji na ucheshi. Inajulikana kwa mtiririko wake wa hali ya juu, upinzani bora wa kemikali na maisha marefu ya huduma, yenye uwezo wa kufikia usahihi wa uchujaji wa chini kama nanomita 20, na kuifanya kuwa chaguo bora kwa programu zinazohitajika kama vile utengenezaji wa semiconductor, utakaso wa maji na utenganisho wa viwanda.

Membrane ya kauri ya kaboni ya silicon ni aina ya utando isokaboni na ni ya nyenzo za utando dhabiti katika teknolojia ya kutenganisha utando. Membrane za kauri za silicon carbide huwashwa kwa joto la zaidi ya 2000 ℃. Uso wa chembe ni laini na pande zote. Hakuna pores zilizofungwa au njia katika safu ya usaidizi na kila safu. Kawaida huundwa na tabaka tatu zilizo na ukubwa tofauti wa pore (safu ya usaidizi wa vinyweleo, safu ya mpito na safu ya kujitenga), na husambazwa kwa usawa.

Utando wa kauri wa kaboni ya silicon hutolewa kupitia mchakato wa kurusha tena kwa joto la zaidi ya 2000 ℃. Uso wa chembe ni laini na pande zote, na muunganisho mzuri wa njia na hakuna pores zilizofungwa au njia.

Maelezo ya haraka:

1. Majina mengine: SiC kauri membrane, SiC Ceramic, silicon carbide kauri membrane, SiC Ultrafiltration Membrane kwa Semiconductor Manufacturing, cartridges chujio porous.

2. Matumizi kuu: Semixlab Silicon Carbide (SiC) Ceramic Membrane ni teknolojia ya kisasa ya kuchuja iliyoundwa kutoka kwa unga wa silicon ya hali ya juu kupitia michakato ya hali ya juu ya urekebishaji wa fuwele na uchomaji. Inajulikana kwa mtiririko wake wa hali ya juu, ukinzani wa kipekee wa kemikali, na maisha marefu, inafanikisha usahihi wa kuchuja hadi 20 nm, na kuifanya kuwa bora kwa matumizi ya kudai katika utengenezaji wa semiconductor, utakaso wa maji, na utengano wa viwanda.

3. Vigezo vya uainishaji wa msingi:

Usahihi wa uchujaji unaweza kufikia nanomita 20.

Inastahimili kutu, inayostahimili joto na inayostahimili athari.

Mtiririko wa juu sana - Mtiririko huo ni mara 3 hadi 6 kuliko utando wa kauri na mara 5 hadi 30 ya utando wa kikaboni, unaochukua nafasi ndogo na kufanya kazi kwa ufanisi.

Nyenzo salama - uwekaji joto la juu zaidi, muundo mmoja, hakuna mabaki, hakuna metali nzito, usalama wa kiwango cha matibabu.

Athari bora ya kuchuja: ultrafiltration na nanofiltration, kukidhi mahitaji mbalimbali ya utakaso wa maji. Usahihi wa uchujaji hufunika uchujaji mdogo, na maisha marefu ya huduma. Inaweza kutumika kwa zaidi ya miaka 5 katika asidi kali, alkali kali na mazingira ya joto la juu. Maji yaliyotakaswa ya kawaida yanaweza kutumika kwa zaidi ya miaka 20.

Modules za Utando wa SiC Tubular

Utando wa Karatasi ya Gorofa ya SiC

1. Semiconductor Sekta

Usafishaji wa Kaki: Uondoaji mzuri wa nanoparticles na mabaki ya kikaboni kutoka kwa maji ya ultrapure.

Usafishaji wa Maji Machafu ya CMP: Husafisha maji taka ya ung'arisha mitambo (CMP) ili kutumika tena, kuokoa mamilioni ya gharama za maji.

Matibabu ya Taka za Photovoltaic: Hurejesha kukatwa kwa maji machafu (kwa mfano, suluhu za PEG) katika utengenezaji wa seli za jua.

2. Uchujaji wa Maji

Utakaso wa Maji ya Kunywa: Inafikia> 99.9% kuondolewa kwa PFAS, bakteria, na microplastics.

Maji Taka ya Viwandani: Hutibu maji machafu yenye chumvi nyingi, yenye mafuta mengi au ya kuongeza kiwango (km, mimea ya kemikali ya makaa ya mawe, maeneo ya mafuta).

Matayarisho ya Kuondoa Chumvi kwenye Maji ya Bahari: Huchukua nafasi ya uchujaji wa hatua nyingi wa jadi na mchakato fupi, usio na nishati.

Makali ya Ushindani: SiC dhidi ya Njia Mbadala

Wasiliana Nasi ili kuchunguza jinsi SiC Ceramic Membranes inavyoweza kuboresha uchujaji wako au michakato ya semiconductor.