EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Boti ya Kaki ya Silicon Carbide
| Nafasi ya Mwanzo: | China |
| Brand Name: | Semixlab |
| Model Idadi: | TC-SIC-WB-2501 |
| vyeti: | ISO 9001 |
| Kima cha chini cha Order: | 1 Kitengo |
| bei: | Wasiliana kwa Nukuu Iliyobinafsishwa |
| Ufungaji Maelezo: | Povu ya Kuzuia Tuli + Kreti za Mbao (Inaweza kubinafsishwa) |
| Utoaji Time: | Wakati wa Uwasilishaji: Siku 30-45 Baada ya Uthibitishaji wa Agizo |
| Malipo Terms: | T / T |
| Ugavi Uwezo: | Vitengo 100 / Mwezi |
Maelezo ya Kiufundi
Boti ya Kaki ya Silicon Carbide ni chombo cha kubeba utendaji wa hali ya juu iliyoundwa kwa ajili ya utengenezaji wa semiconductor na mchakato wa nishati ya photovoltaic. Imetengenezwa kwa nyenzo za kauri za silicon carbide (SiC) za usafi wa hali ya juu, ambayo hufanywa na mchakato wa hali ya juu wa kukandamiza. Ina upinzani bora wa halijoto ya juu, uthabiti wa kemikali na nguvu ya mitambo, na inakuwa matumizi ya msingi katika upitishaji wa kaki, uwekaji joto la juu na michakato mingine ya usahihi.
1. Utulivu katika mazingira yaliyokithiri
Muundo wa molekuli ya kauri za sic huipa uthabiti wa hali ya juu wa joto, ambao unaweza kudumisha uadilifu wake wa muundo katika mazingira ya halijoto ya juu ya 1650°C. Ikilinganishwa na vifaa vya kawaida vya quartz au alumina, mgawo wa upanuzi wa joto wa boti za sic ni chini sana (4.5 × 10 pekee-6/°C), kwa ufanisi kuzuia deformation au ngozi inayosababishwa na mabadiliko ya ghafla ya joto. Katika utengenezaji wa semiconductor, mali hii inaweza kupunguza kwa kiasi kikubwa kupotoka kwa kaki katika mchakato wa joto la juu na kuboresha mavuno.
2. Upinzani wa kutu usio na kifani
Keramik za silicon carbide zinaonyesha upinzani mkali kwa asidi kali (kama vile asidi hidrofloriki, asidi ya sulfuriki), besi kali na gesi za oksidi (Cl₂, O₂). Hata katika angahewa ya salfa au halojeni ifikapo 1400 ° C, uso unabaki laini na bila kutu, na hivyo kuhakikisha kuwa hakuna uchafu unaobaki kwenye uso wa kaki.
3. Maisha marefu ya huduma na faida za kiuchumi
Kupitia mchakato wa kipekee wa matibabu ya msongamano wa uso, upinzani wa kuvaa kwa mashua ya silicon carbudi ni zaidi ya mara 15 kuliko ile ya vifaa vya jadi. Jaribio halisi linaonyesha kwamba baada ya mizunguko 1000 katika anga ya oxidation ya 1400 ° C, ukali wa uso bado ni chini ya 0.2μm ya Ra, na nyakati za mauzo zinaweza kufikia mara 5-8 ya boti za kawaida za kauri, ambayo hupunguza sana mzunguko wa kuzima na uingizwaji wa vifaa, na kuokoa gharama ya kina ni zaidi ya 30%.
Maelezo ya haraka:
1. Majina mengine: mashua ya kioo ya silicon carbide, carrier wa kauri ya semiconductor.
2. Maombi: Inatumika katika uenezaji wa joto la juu, oxidation na mchakato wa annealing katika utengenezaji wa semiconductor kubeba kaki ya silicon na kuhakikisha usambazaji wa joto sawa.
3. Vigezo vya msingi: usafi ≥99.99%, upinzani wa juu wa joto wa 1500℃, mgawo wa upanuzi wa chini wa mafuta (4.5 × 10-6/℃), upinzani mkali wa mshtuko wa joto.
Specifications
| Tabia ya kimwili ya Sintered Silicon Carbide | |
| mali | mfano Thamani |
| kemikali utungaji | SiC>98% |
| Uzani wa Wingi | >3.07 g/cm³ |
| Dhahiri porosityKuonekana porosity | |
| Moduli ya kupasuka kwa 20 ℃ | 270 MPa |
| Moduli ya kupasuka kwa 1200 ℃ | 290 MPa |
| Ugumu katika 20 ℃ | 2400 Kg/mm² |
| Ugumu wa kuvunjika kwa 20% | 3.3 MPa · m1/2 |
| Uendeshaji wa joto katika 1200 ℃ | 45 w/m·K |
| Upanuzi wa joto kwa 20-1200 ℃ | 4.5 × 10-6/ ℃ |
| Kiwango cha juu cha joto cha kufanya kazi | 1400 ℃ |
| Upinzani wa mshtuko wa mafuta kwa 1200 ℃ | nzuri |
| Mali ya kimwili ya Recrystallized Silicon Carbide | |
| mali | mfano Thamani |
| Halijoto ya kufanya kazi (°C) | 1600°C (yenye oksijeni), 1700°C (mazingira ya kupunguza) |
| Maudhui ya SiC | > 99.96% |
| Maudhui ya bure ya Si | <0.1% |
| Uzani wa wingi | 2.60-2.70 g/cm3 |
| porosity inayoonekana | <16% |
| Nguvu ya kukandamiza | > 600 MPa |
| Nguvu ya kupiga baridi | MPa 80-90 (20°C) |
| Nguvu ya kupiga moto | MPa 90-100 (1400°C) |
| Upanuzi wa joto @1500°C | 4.7x10-6/ ° C |
| Uendeshaji wa joto @1200°C | 23 W/m·K |
| Modulus ya elastic | 240 GPA |
| Upinzani wa mshtuko wa joto | Nzuri sana |
matumizi
Matibabu ya joto ya juu ya joto la kaki za semiconductor (oxidation, annealing, doping).
Mipako ya kaki ya tasnia ya Photovoltaic na kupenyeza.
Ushindani Faida
Uthabiti wa halijoto ya juu sana: upinzani wa muda mrefu hadi 1500 ° C joto la juu, hakuna deformation au kupunguza utendaji.
Ubunifu wa uchafuzi wa chini: nyenzo za usafi wa juu + mchakato usio na wambiso, epuka uchafuzi wa ioni za chuma.
Maisha ya muda mrefu: upinzani bora wa mshtuko wa mafuta, maisha marefu ya huduma kuliko carrier wa quartz mara 3-5.
Ubinafsishaji unaobadilika: saizi ya usaidizi, nafasi ya nafasi, ubinafsishaji wa kina wa matibabu ya uso.
