TaC iliyopakwa grafiti yenye vinyweleo

Semixlab's Tantalum Carbide (TaC) Iliyopakwa Pete ya Graphite yenye Vinyweleo (Tantalum CARBIDE iliyopakwa upenyo wa Graphite Ring) ni sehemu ya utendaji wa juu wa grafiti iliyoundwa mahususi kwa ajili ya ukuzaji wa fuwele moja ya silikoni CARBIDE (SiC). Bidhaa hii imetengenezwa kwa sehemu ndogo ya grafiti yenye vinyweleo vya hali ya juu na kufunikwa na mipako ya tantalum carbudi (TaC) inayostahimili halijoto ya juu na inayostahimili kutu. Inaangazia upinzani bora wa mshtuko wa mafuta, uthabiti wa kemikali na maisha marefu ya huduma, na ni kitu muhimu kinachotumika katika tanuru ya ukuaji wa fuwele ya SiC (mbinu ya PVT).

Bidhaa makala

1. Usafi wa juu wa substrate ya grafiti ya porous

Usafi wa hali ya juu zaidi (≥99.9999%) grafiti ya isostatic inakubaliwa, yenye porosity inayoweza kudhibitiwa, kuhakikisha ulinganifu mzuri wa mafuta na upenyezaji wa gesi, na kuboresha mazingira ya ukuaji wa fuwele za SiC moja.

Maudhui ya majivu ya chini na uchafu mdogo, kupunguza hatari ya uchafuzi wakati wa mchakato wa ukuaji wa kioo.

2. Ulinzi wa mipako ya Tantalum carbudi (TaC).

Mipako ya TaC ina kiwango cha juu zaidi cha myeyuko (~3880℃) na ajizi bora ya kemikali, huzuia vyema grafiti kutokana na kuathiriwa na mvuke wa Si/C kwenye joto la juu na kupunguza umwagaji wa chembe za grafiti ili kuchafua fuwele.

Mipako ni mnene na sare, kwa kiasi kikubwa kuimarisha upinzani wa oxidation na upinzani wa kutu wa pete ya grafiti na kuongeza muda wa maisha yake ya huduma.

3. Utulivu bora wa joto

Ina mgawo wa chini wa upanuzi wa joto na upinzani mkali wa mshtuko wa joto, na kuifanya kufaa kwa kupanda na kushuka kwa kasi kwa joto wakati wa mchakato wa ukuaji wa fuwele moja ya SiC (zaidi ya 2000 ℃).

Uendeshaji wa juu wa mafuta huhakikisha usambazaji sawa wa shamba la joto na inaboresha ubora wa ukuaji wa kioo.

4. Muundo uliobinafsishwa

Ukubwa wa pore, upenyo, ukubwa wa pete ya grafiti na unene wa mipako ya TaC inaweza kubadilishwa kulingana na mahitaji ya mteja ili kukabiliana na aina tofauti za tanuu za ukuaji wa fuwele za SiC (kama vile joto la induction au aina za joto za upinzani).

Maelezo ya haraka:

Majina ya utani: Grafiti yenye vinyweleo, TaC iliyopakwa pete ya grafiti yenye vinyweleo, pete ya grafiti, pete ya kaboni ya Tantalum, pete ya grafiti yenye vinyweleo kwa ukuaji wa fuwele ya SiC.

Kusudi: Hakikisha uwekaji thabiti wa filamu za ubora wa juu katika mchakato wa PECVD, huku ukiongeza ufanisi wa uzalishaji wa vifaa na mavuno ya kaki.

Vigezo vya msingi: Porosity: 10% -30%, nyenzo za mipako: mipako ya TaC, unene wa mipako: 30 ± 5um, joto la juu la huduma: 2200℃ (mazingira ya ajizi/utupu), usafi ≥99.9999%, mgawo wa upanuzi wa mafuta ≤5×10⁶⁶2000⁶ chumba cha joto

Ufundi vigezo

Matukio maombi

● Ukuaji wa fuwele moja ya SiC (mbinu ya PVT) : Kama kijenzi cha sulubu au sehemu ya uga wa joto, hutumika kwa usablimishaji na uwekaji fuwele wa malighafi ya SiC katika mazingira ya halijoto ya juu.

● Maandalizi ya nyenzo nyingine za semikondakta za halijoto ya juu: kama vile michakato ya ukuaji wa fuwele kwa visemikondukta vya sehemu pana kama vile GaN na AlN.

● Maisha marefu ya huduma: 

Mipako ya TaC inapunguza kwa kiasi kikubwa upotevu wa grafiti, inapunguza marudio ya uingizwaji na kuokoa gharama.

● Ubora wa juu wa fuwele: 

Punguza uchafuzi wa chembe na uimarishe usafi na uadilifu wa fuwele wa fuwele moja ya SiC.

● Ugavi wa kuaminika: 

Mfumo madhubuti wa kudhibiti ubora huhakikisha uthabiti wa kundi na kuhimili mahitaji makubwa ya uzalishaji.

● Usaidizi wa huduma:

Toa mashauriano ya kiufundi, uboreshaji wa muundo wa uwanja wa mafuta na huduma za kufuatilia baada ya mauzo.

Saidia ubinafsishaji usio wa kawaida ili kukidhi mahitaji maalum ya mchakato.

● Wateja wanaotumika: 

Wazalishaji wa substrate ya SiC, wazalishaji wa vifaa vya semiconductor, taasisi za utafiti, nk.

Kwa habari zaidi au majaribio ya sampuli, tafadhali wasiliana nasi!