EN 
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ
Umwagaji wa quartz wa semiconductor
Maelezo ya haraka:
1.Majina mengine: Tangi ya quartz ya semiconductor, bafu ya quartz kwa semiconductor, tanki ya quartz kwa semiconductor.
2.Matumizi: Bafu ya Quartz ya Semiconductor ni sehemu ya usafi wa hali ya juu, inayostahimili kutu ambayo imeundwa mahsusi kwa ajili ya kusafisha kwa usahihi na usindikaji wa kemikali katika utengenezaji wa semicondukta. Iliyoundwa kwa ajili ya uoanifu wa mfumo wa WS-620C/ WS-820C/ WS-820L, bafu hii ya quartz hufanya kazi chini ya halijoto ya juu (hadi 175°C) na imeboreshwa kwa matumizi ya miyeyusho ya asidi ya fosforasi (H₃PO₄), kuhakikisha utendakazi wa kipekee katika michakato muhimu ya kuoka.
3. Vigezo vya msingi:
Quartz iliyounganishwa (>99.99% SiO₂).
Ajizi ya kipekee ya kemikali kwa H₃PO₄ (asidi ya fosforasi) katika halijoto ya juu, kuzuia uharibifu au uzalishaji wa chembe.
Inastahimili operesheni inayoendelea kwa 160 ° C na joto la juu la 175 ° C, kudumisha uadilifu wa muundo na utulivu wa dimensional.
Maelezo ya Kiufundi
Bafu ya Quartz ya Semiconductor ni sehemu ya ubora wa juu, inayostahimili kutu ambayo imeundwa mahsusi kwa ajili ya kusafisha kwa usahihi na usindikaji wa kemikali katika utengenezaji wa semiconductor. Iliyoundwa kwa ajili ya uoanifu wa mfumo wa WS-620C/ WS-820C/ WS-820L, bafu hii ya quartz hufanya kazi chini ya halijoto ya juu (hadi 175°C) na imeboreshwa kwa matumizi ya miyeyusho ya asidi ya fosforasi (H₃PO₄), kuhakikisha utendakazi wa kipekee katika michakato muhimu ya kuoka.
Muhimu Features
Ubora wa Nyenzo
Quartz ya Usafi wa Juu: Imetengenezwa kutoka kwa quartz iliyounganishwa ya syntetisk (> 99.99% SiO₂), kuhakikisha uchafuzi mdogo na upinzani dhidi ya mshtuko wa joto.
Upinzani wa Asidi
Ajizi ya kipekee ya kemikali kwa H₃PO₄ (asidi ya fosforasi) katika halijoto ya juu, kuzuia uharibifu au uzalishaji wa chembe.
Utabvu wa mafuta
Inastahimili operesheni inayoendelea kwa 160 ° C na joto la juu la 180 ° C, kudumisha uadilifu wa muundo na utulivu wa dimensional.
Faida za Utendaji
Udhibiti wa Uchafuzi: Kumalizia kwa uso laini sana hupunguza kushikana kwa chembe, muhimu kwa michakato ya nodi za semicondukta ndogo ya micron.
Urefu wa maisha: Ustahimilivu wa Quartz dhidi ya kutu ya asidi na uchovu wa joto huongeza maisha ya huduma, na hivyo kupunguza gharama ya kupumzika na matengenezo.
Uthabiti wa Mchakato: Uendeshaji thabiti wa mafuta huhakikisha usambazaji sawa wa joto, kuongeza ufanisi wa kusafisha na kurudia.
Kwa nini Uchague Bafu ya Quartz ya Semixlab ya Semiconductor?
Ubora wa Daraja la Semiconductor: Imetolewa katika mazingira ya chumba safi ili kufikia viwango vya SEMI.
Suluhisho Zilizoundwa: Miundo maalum inayopatikana ili kuendana na mahitaji mahususi ya mchakato.
Kuegemea: Upimaji mkali wa ubora huhakikisha utiifu wa mahitaji ya tasnia ya semiconductor.
Specifications
| Mali ya Mitambo | Msongamano (g/cm3) | 2.2 |
| Ugumu wa Mohs | 6-7 | |
| Nguvu ya kukandamiza (MPa) | 1100 | |
| Nguvu ya mkazo (N/mm2) | 50 | |
| Nguvu ya kubadilika (N/mm2) | 65 | |
| Nguvu ya msokoto (N/mm2) | 30 | |
| Moduli ya Vijana (MPa) | 7.2x104 | |
| uwiano wa Poisson | 0.16 | |
| Mali ya mafuta | Mgawo wa upanuzi wa joto (20~320℃,k-1) | 5.5x10-7 |
| Uendeshaji wa joto (20℃,W·m-1k-1) | 1.4 | |
| Joto mahususi (20℃, J·kg-1k-1) | 670 | |
| Sehemu ya kulainisha (℃) | 1700 | |
| Sehemu ya kupachika (℃) | 1180 | |
| Sehemu ya mkazo (℃) | 1080 | |
| Mali ya umeme | Ustahimilivu wa umeme (Ω·m) | 1x1016(20 ℃) |
| Dielectric constant (10GHz) | 3.74 | |
| Hasara ya dielectric (10GHz) | 0.0002 | |
| Nguvu ya dielectric (V·m-1) | 3.7x107 |
matumizi
Usafishaji wa Kaki: Kuondolewa kwa kifaa cha kupiga picha, mabaki na uchafu katika suluhu zenye msingi wa H₃PO₄ baada ya kuchomeka au lithography.
Michakato ya Halijoto ya Juu: Inafaa kwa hatua za hali ya juu za utengenezaji wa semicondukta zinazohitaji kemia kali katika halijoto ya juu.
Utangamano: Inafaa kwa mfumo wa WS-620C/WS-820C/ WS-820L katika vitambaa vinavyozalisha mantiki, kumbukumbu, au vifaa vya nishati.
